商品番号 laser1
動作波長 | 3.5~3.9μm (これ以外の波長についてもお問い合わせください。) |
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最高動作温度 | 200K |
駆動電流 | ピークパルス電流2A以下 |
ピーク出力 | 2mW |
レーザチップサイズ | ~0.7×0.7×0.7 mm3 |
Laser Specification
Output wavelength : 3.5-3.9μm
Maximum operation temperature : 200K
Operation current: > 2A
Peak output power : 2mW
Chip size : ~0.7×0.7×0.7 mm3
材料 | PbS、PbSe、PbTe 及びこれらの混晶結晶 |
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サイズ | φ10mm、長さ10mm以上 |
成長法 | 封管気相成長 |
価格 | 仕様により要相談(¥100,000~) |
Specification of single crystals
Materials : PbS, PbSe, PbTe, and their alloys
Size : Φ=10mm, Length >10mm
Growth method : Vapor transport method
Price : Consult from 100,000 yen
PbTe、PbSe、PbS等のIV-VI族半導体は、波長3μm以上の中赤外領域のチューナブルレーザや熱電材料としての応用があります。
当社では、IV-VI族半導体レーザ素子や熱電物性研究用のIV-VI族半導体単結晶を提供いたします。
お問合せ:アート電子株式会社 E-mail: yamanashi@art-denshi.co.jp
(本製品は浜松市新産業創出事業費補助金及び浜松地域イノベーション推進機構・電子技術活用促 進事業費補助金により開発されたものである。)
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